Μια διαδικασία για τη καθιστώντας ανέξοδη Αρσενίδιο γαλλίου (GaAs) φωτοβολταϊκών κυττάρων στην οποία καλλιεργείται μια λεπτή ταινία του GaAs επάνω σε ένα παχύ, μονοκρυσταλλικού GaAs (ή άλλο κατάλληλο υλικό) υπόστρωμα και στη συνέχεια είναι σχισμένα από το υπόστρωμα και ενσωματωθεί σε ένα κελί, που επιτρέπει να επαναχρησιμοποιηθούν για να αυξηθεί περισσότερο λεπτής GaAs υποστρώματος.